發(fā)明公開了一種
碳納米管陣列的制備方法,主要解決現(xiàn)有碳納米管陣列的制備技術(shù)生產(chǎn)成本高,造成在大規(guī)模制備和工業(yè)化生產(chǎn)應(yīng)用中受到限制的問題。其實(shí)現(xiàn)方案是:首先通過
電化學(xué)沉積方法在多孔片狀基底上制備均勻排布的金屬化合物作為催化劑;再利用化學(xué)氣相沉積法,用二氰二胺作為唯一的碳源和氮源,在惰性氣體的保護(hù)下,在片狀多孔基底上制備碳納米管陣列;通過調(diào)節(jié)保溫階段的惰性氣體流量,實(shí)現(xiàn)碳納米管陣列的形貌調(diào)控。本發(fā)明工藝簡單、生產(chǎn)成本低,碳納米管陣列結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,可用于
功能材料和結(jié)構(gòu)材料方面的
復(fù)合材料構(gòu)筑。
聲明:
“碳納米管陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)