本發(fā)明屬于微電子器件及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種相變存儲(chǔ)器陣列的制備方法,具體包括:在襯底上沉積多層薄膜結(jié)構(gòu),其中包括底電極層、加熱電極層、選通材料層、連接阻擋層、相變功能層。薄膜制備完成之后僅利用一次光刻工藝對(duì)底電極以上部分整體實(shí)現(xiàn)圖案化,然后進(jìn)行刻蝕、填充單元間電熱隔離絕緣層,并通過額外一次光刻工藝制備分立的頂電極,得到底電極?
功能材料?頂電極結(jié)構(gòu)完整、可操作的相變存儲(chǔ)器陣列。工藝流程中光刻工藝次數(shù)的減少,不僅可以降低生產(chǎn)過程中的成本,提高生產(chǎn)效率和成品率,同時(shí)二維平面單層器件的制備工藝的簡化,可以極大改善三維存儲(chǔ)器件的制備流程,從而實(shí)現(xiàn)將二維平面單層存儲(chǔ)器在垂直方向上進(jìn)行多層堆疊的三維存儲(chǔ)器技術(shù)。
聲明:
“相變存儲(chǔ)器陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)