本發(fā)明公開了一種AMOLED器件制備方法。所述方法包括:形成聚合物基板;在所述聚合物基板上制作基板阻障層,所述基板阻障層為包含多層
石墨烯膜的阻障層,或多層石墨烯膜與有機物膜相互交替的阻障層;在所述基板阻障層上制作薄膜晶體管陣列以及有機發(fā)光
功能材料層,并進行陰極蒸鍍形成陰極;在所述陰極上制作封裝阻障層,所述封裝阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層,或多層石墨烯膜與有機物膜相互交替的阻障層。本發(fā)明還相應公開了一種AMOLED器件。應用本發(fā)明技術(shù)方案,能夠滿足AMOLED器件的高柔性要求。
聲明:
“AMOLED器件及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)