本發(fā)明公開了一種測量半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)光電性能的設(shè)備和方法,該設(shè)備包括:掃描探針顯微鏡、脈沖激光器、透鏡和光電信號耦合測量部件。該方法是:利用掃描探針顯微系統(tǒng)精確的空間定位和控制能力,使用導(dǎo)電針尖作為納米電極,并采用背面入射的方法將脈沖激光引入樣品待測區(qū)域,在對樣品實(shí)施結(jié)構(gòu)掃描的同時(shí)獲得特定納米區(qū)域的光激發(fā)電學(xué)特性。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:利用掃描探針顯微鏡的導(dǎo)電針尖作為高精度、高穩(wěn)定性的移動納米電極,可以對樣品表面的微觀區(qū)域進(jìn)行光電響應(yīng)的二維成像,像點(diǎn)間的信息具有很高的可比性,有助于對半導(dǎo)體光電
功能材料的均勻性實(shí)施高分辨率的檢測。
聲明:
“測量半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)光電性能的設(shè)備和方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)