本發(fā)明屬于
功能材料領(lǐng)域,涉及一種Al、F共摻雜的ZnO基透 明導(dǎo)電薄膜及其制備方法。其特征是包括以下步驟:1),首先制作 ZAFO靶材,利用AlF3、Al2O3和ZnO粉體,經(jīng)過均勻混合后,分別 制成不同F(xiàn)含量的ZAFO靶材;ZAFO靶材中含有0.5~3.0wt%的 Al,0.82~3.28wt%的F,其余為ZnO;2),將制作好的ZAFO靶材, 安裝在射頻磁控濺射沉積設(shè)備真空室內(nèi),用機械泵、分子泵把真空室 的真空度抽到壓強小于3×10-3Pa,同時將基片溫度加熱到25℃~ 500℃;通過調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),采用射頻磁控濺射在基片上制備 ZAFO透明導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明簡化了鍍膜工藝,改善了薄膜的導(dǎo)電性 和可見光透過率。
聲明:
“AL、F共摻雜ZNO基透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)