本發(fā)明屬于基本電器元件領(lǐng)域,具體的說(shuō),本發(fā)明提供了一種三維點(diǎn)陣納米結(jié)構(gòu)電極及其制備方法。采用各種手段,包括物理、化學(xué)或
電化學(xué)的方法制備與加工納米
功能材料是近來(lái)納米制備技術(shù)的前沿領(lǐng)域。傳統(tǒng)方法在電極表面制作電聚合高分子膜,一般使用一步法完成,該一步法可以是恒電流電解過(guò)程,也可以是恒電位電解過(guò)程。這樣制備得到的電聚合高分子膜呈現(xiàn)的是網(wǎng)絡(luò)狀的平面展開(kāi)的結(jié)構(gòu),不具有三維點(diǎn)陣立體結(jié)構(gòu)的特征?;诙嗖胶汶娏?a href="http://m.189000b.com/news_show-11759.html" target="_blank">電解技術(shù),本發(fā)明提供了一種的三維點(diǎn)陣納米高分子有序膜及其制備方法。該三維膜的比表面遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)方法得到的高分子膜。因此,本發(fā)明的電極可有效用于制備高通量的
芯片,檢測(cè)、鑒定待測(cè)物中目的分子的含量。
聲明:
“三維點(diǎn)陣納米結(jié)構(gòu)電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)