本發(fā)明公開(kāi)了一種提高InAs/GaAs量子點(diǎn)
半導(dǎo)體材料發(fā)光效率的方法,其特征在于本發(fā)明提出的離子注入方法區(qū)別于傳統(tǒng)的離子注入技術(shù)中注入離子最終停留區(qū)域的選擇。傳統(tǒng)的離子注入技術(shù)應(yīng)用中為了盡可能地減小因離子注入導(dǎo)致的缺陷增殖數(shù)量,通常將注入離子的最終停留區(qū)域選擇在襯底上,避免體現(xiàn)發(fā)光
功能材料區(qū)域的缺陷增殖數(shù)量的急劇上升。本發(fā)明提出了直接將注入離子停留在量子點(diǎn)區(qū)域,同時(shí)選擇了有效的質(zhì)子注入和注入工藝條件,結(jié)合相應(yīng)的快速熱退火工藝,使得最終離子注入技術(shù)得以成功地提高量子點(diǎn)材料的發(fā)光效率。
聲明:
“提高InAs/GaAs量子點(diǎn)半導(dǎo)體材料發(fā)光效率的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)