本發(fā)明公開了二種采用模板法制備高比表面碳化硅納米管的方法,技術(shù)方案一,步驟如下:a.選用多孔
氧化鋁作為模板浸入到氫甲基硅油和乙烯基聚硅氧烷的混合溶液中;b.將上述氧化
鋁模板在馬弗爐中50~600℃溫度下放置1~10小時;c.用酸去除氧化鋁模板得到聚硅氧烷納米管的前驅(qū)體;d.將上述前驅(qū)體置于高溫管式爐中在惰性氣體保護(hù)下以2~10℃/min的速度升溫到1000~1700℃,然后恒溫0.5~10小時得到碳化硅納米管。技術(shù)方案二將技術(shù)方案一的步驟c、步驟d互換。本發(fā)明制備的碳化硅納米管比表面積為3500-4500m2/g,可作為
半導(dǎo)體材料、
功能材料、光電器件具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“制備高比表面碳化硅納米管的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)