本發(fā)明提供了一種
復(fù)合材料,包括載流子
功能材料和非發(fā)光量子點,且所述非發(fā)光量子點的最高占據(jù)分子軌道能級與所述載流子功能材料的最高占據(jù)分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV,或所述非發(fā)光量子點的最低占據(jù)分子軌道能級與所述載流子功能材料的最低占據(jù)分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV。
聲明:
“復(fù)合材料、薄膜、量子點發(fā)光二極管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)