本發(fā)明提出了制作納米孔陣列的方法、納米孔陣列和納米孔陣列傳感器,制作納米孔陣列的方法,包括:提供硅片;形成第一掩膜層,形成第二掩膜層;形成第一圖案化層;形成第二圖案化層;進(jìn)行第一濕法刻蝕;進(jìn)行第二濕法刻蝕;形成
功能材料層;對(duì)第二刻蝕腔進(jìn)行第三濕法刻蝕,以形成第三刻蝕腔,暴露位于錐尖的功能材料層;對(duì)位于錐尖的功能材料層進(jìn)行第四刻蝕,以形成多個(gè)納米孔,得到納米孔陣列。由此,可通過(guò)簡(jiǎn)便的方法制備具有孔徑均一、制備流程簡(jiǎn)便、可重復(fù)性高等優(yōu)點(diǎn)的納米孔陣列結(jié)構(gòu)。
聲明:
“制作納米孔陣列的方法、納米孔陣列和納米孔陣列傳感器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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