本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法和電子裝置。所述方法包括:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上形成有
功能材料疊層和離子注入掩膜層;以所述離子注入掩膜層為掩膜對(duì)所述功能材料疊層進(jìn)行離子注入;去除所述離子注入掩膜層;對(duì)所述功能材料疊層的表面進(jìn)行清洗,所述清洗方法包括氨溶液?過氧化氫溶液混合液的熱清洗步驟、稀釋HF的清洗步驟和O3清洗步驟。通過所述方法可以完全去除所述功能材料疊層上存在的殘留物,解決目前工藝中的隆起缺陷(worse?bump?defect)。
聲明:
“半導(dǎo)體器件及制備方法、電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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