一種化學機械研磨方法和半導體結構的形成方法。其中,所述化學機械研磨方法包括:提供
功能材料層,所述功能材料層中形成有若干凹槽;在所述凹槽的底部和側壁以及凹槽兩側的功能材料層上形成補償層;進行化學機械研磨,去除補償層和部分所述功能材料層,形成上表面齊平的功能層。本發(fā)明提高了化學機械研磨所形成功能層上表面的平整度,以及提高了所形成半導體結構的性能。
聲明:
“化學機械研磨方法和半導體結構的形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)