本發(fā)明公開了一種調控材料中空位缺陷的方法,該方法是通過向相變
功能材料中插入應力施加材料,從而調控所述相變功能材料中的空位缺陷濃度,并由此得到相變功能材料與應力施加材料嵌合生長生成的復合結構;該復合結構其相變特性主要由其中的所述相變功能材料決定,通過所述應力施加材料的調控使該復合結構其相變特性以由純的所述相變功能材料得到的相變功能材料晶體其相變特性為基礎產生變化,并且該應力施加材料具體為能夠形成晶態(tài)的材料。本發(fā)明尤其通過向晶格常數(shù)略小的相變功能材料中插入常數(shù)稍大的應力施加材料,能有效降低相變存儲材料中空位缺陷的濃度,從而降低其晶化過程的閾值,有效提升其晶化速度。
聲明:
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