本申請公開了一種基于
鈣鈦礦量子點(diǎn)的圖形化復(fù)合功能薄膜的制備方法。該制備方法至少包括以下步驟:S100、獲得含有聚合物薄膜覆蓋的基板;S200、將所述聚合物薄膜圖形化;S300、在所述圖形化的聚合物薄膜上沉積金屬,得到聚合物填充的金屬格柵圖形襯底;S400、鈣鈦礦量子點(diǎn)前驅(qū)體嵌入所述金屬格柵圖形襯底的聚合物中,析出鈣鈦礦量子點(diǎn),即可得到所述基于鈣鈦礦量子點(diǎn)的圖形化復(fù)合功能薄膜。該方法可大面積、高分辨率、高重復(fù)性、低成本的制備穩(wěn)定性良好,并可兼容傳統(tǒng)半導(dǎo)體光刻工藝的鈣鈦礦量子點(diǎn)熒光復(fù)合功能薄膜,從而為制備光電探測器、相機(jī)模塊、陣列激光器、多色顯示和熒光防偽標(biāo)識等器件提供了規(guī)?;a(chǎn)的可行性。
聲明:
“基于鈣鈦礦量子點(diǎn)的圖形化復(fù)合功能薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)