本發(fā)明公開了一種新型高磁電阻磁隧道結的制備方法,包括以下步驟:首先清洗Si襯底基片并烘干待用;然后在烘干后的Si襯底基片上沉積SiO2薄膜;在SiO2薄膜上磁控濺射沉積Ru/Fe3O4/Ru/CoFe/NiFe金屬層;制備氧化鎂靶材;采用上述制得的氧化鎂靶材作為靶材,對磁控濺射腔抽真空,然后向該磁控濺射腔中通入一定量的氧氣和氬氣,在NiFe上沉積氧化鎂薄膜;然后在氧化鎂薄膜上濺射沉積NiFe/CoFe/Ru金屬層,形成磁隧道結,最后放入真空中在180?480℃下退火處理30?150min,得到高磁電阻磁隧道結。該方法制得的磁隧道結磁電阻效應高,熱穩(wěn)定性好。
聲明:
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