本發(fā)明公開了一種電子元器件用銅鋯合金及其制備方法,合金成分包括:Zr 0.05?0.4wt%,Mg 0.05?0.2wt%,Si 0.03?0.15wt%,
稀土0.01?0.06wt%,余量為Cu及不可避免的雜質(zhì)元素。本發(fā)明還公開了一種該合金的制備方法,包括熔化、合金化、鑄造、熱軋、粗軋、時效、精軋、去應(yīng)力退火和成品處理。本發(fā)明的銅鋯合金在添加Mg、Si和稀土元素的綜合作用影響下,同時兼?zhèn)涓邚?qiáng)度、高導(dǎo)電性和優(yōu)異的彎曲加工性,其制備方法易于工程化生產(chǎn),且成本低,成品帶材抗拉強(qiáng)度不小于560MPa、導(dǎo)電率不小于80%IACS,其產(chǎn)品可用于極大規(guī)模集成電路及大電流電子元件、散熱部件。
聲明:
“電子元器件用銅鋯合金及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)