本發(fā)明適用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種高純大尺寸SIC晶體襯底材料的制備方法,包括以下步驟:S1、按一定化學(xué)計(jì)量比稱量硅粉和碳粉,將它們混合均勻后加入到
石墨坩堝中;S2、在S1中的石墨坩堝中添加含有氯元素的先驅(qū)體并攪拌均勻;S3、將S2中的石墨坩堝放入真空燒結(jié)爐中后關(guān)爐,待真空抽至≤10
?4Pa以后,再充入稀有氣體至所需壓強(qiáng);S4、按一定升溫速率進(jìn)行升溫至所需溫度進(jìn)行高溫合成,待一段時(shí)間后降溫后,停爐取出樣品。本發(fā)明通過添加含氯元素的先驅(qū)體,實(shí)現(xiàn)厚膜外延材料,單層外延層厚度達(dá)80微米,突破厚膜生長的重復(fù)性、穩(wěn)定性、一致性等產(chǎn)業(yè)化瓶頸共性技術(shù),并且消除硅滴以及硅組分失配等外延缺陷。
聲明:
“高純大尺寸SIC晶體襯底材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)