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石墨發(fā)熱體加熱爐內(nèi)碳素材料表面制備SiC涂層的方法

731   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:51:30
本發(fā)明提供一種石墨發(fā)熱體加熱爐內(nèi)碳素材料表面制備SiC涂層的方法,包括以下步驟:(1)按照1∶1的摩爾比取適量的碳?xì)趾蚐iO2粉;(2)將碳?xì)趾蚐iO2粉放入鹽酸進(jìn)行酸洗,酸洗后用去離子水水洗,水洗后將碳?xì)职裇iO2粉包覆,放置在70~90℃的烘箱中處理;(3)將包覆SiO2粉的碳?xì)址湃胧l(fā)熱體加熱爐內(nèi),密閉加熱爐;(4)將加熱爐內(nèi)溫度升高至500~700℃,氣壓抽至10-2Pa以下,保持2~3小時(shí);(5)將加熱爐溫度升高至1450~1600℃,保溫2~6小時(shí),停止保溫,冷卻后,加熱爐內(nèi)碳素材料表面具有碳化硅涂層。本發(fā)明工藝過程相對簡單,易操作,重復(fù)性好,涂層與基體達(dá)到冶金結(jié)合、涂層結(jié)合力強(qiáng)。
聲明:
“石墨發(fā)熱體加熱爐內(nèi)碳素材料表面制備SiC涂層的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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