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中溫用Ga2Te3基熱電半導(dǎo)體及制備方法

1068   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:50:02
本發(fā)明涉及熱電材料領(lǐng)域的中溫用Ga2Te3基熱電半導(dǎo)體及制備方法。其設(shè)計(jì)要點(diǎn)在于該熱電材料的化學(xué)式為(Ga2Te3)(CdTe)x,其中x=0.1~0.4。其制備方法是將單質(zhì)元素Ga、Cd、Te置于真空石英管內(nèi),經(jīng)950~1150℃合成20~28小時(shí)后,將(Ga2Te3)(CdTe)x鑄錠隨爐冷卻至700~900℃后立即在水中淬火,淬火后的(Ga2Te3)(CdTe)x鑄錠經(jīng)粉碎、球磨,再經(jīng)放電等離子火花燒結(jié)(SPS)制成塊體,燒結(jié)溫度為350~550℃,燒結(jié)壓力40~60Mpa。燒結(jié)后的塊體材料在真空石英管內(nèi)退火2500~3000小時(shí),退火溫度300~400℃。本發(fā)明采用常規(guī)的粉末冶金法制備,工藝簡(jiǎn)單,成本較低;材料具有環(huán)保特性,無(wú)噪音,適合作為一種綠色能源材料使用。
聲明:
“中溫用Ga2Te3基熱電半導(dǎo)體及制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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