本發(fā)明公開(kāi)了一種磁控濺射用復(fù)合靶材的設(shè)計(jì)方法,涉及磁控濺射技術(shù)及無(wú)機(jī)化合物功能薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域。其是由切割成5°、10°、30°、60°的扇形段的各組元單質(zhì)薄板靶材,按照一定角度比例均勻交替拼接構(gòu)成的復(fù)合靶材,其組元成分比例均勻、穩(wěn)定、易于變更。通過(guò)調(diào)節(jié)各組元的扇形段角度就可以調(diào)整復(fù)合靶材的成分,從而調(diào)節(jié)化合物薄膜的化學(xué)計(jì)量比,且濺射得到的化合物薄膜成分均勻。本發(fā)明特別適用于如赫斯勒及半赫斯勒化合物等具有脆性、及由于組元熔點(diǎn)差異較大或部分組元成分易于偏析而難以制成符合化學(xué)計(jì)量比的化合物靶材的薄膜制備,是一種不需要使用多靶材共濺射法、但能取得共濺射生長(zhǎng)化合物薄膜或復(fù)合薄膜效果的新型復(fù)合靶材設(shè)計(jì)方法。
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