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減少熔絲尖刺的修調結構及其制造方法

1026 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 09:02:35

本發(fā)明提供一種減少熔絲尖刺的修調結構，包括半導體襯底；介質層；形成于介質層上的修調熔絲具有一修調電阻、兩探針接觸墊及分別用于連接修調電阻和探針接觸墊的過渡區(qū)，過渡區(qū)中具有減少修調電阻熔絲尖刺的修調刻開區(qū)；形成在修調熔絲和介質層上的鈍化層中分別具有修調刻開區(qū)處的釋放窗口、修調電阻處和探針接觸墊處的壓點窗口。本發(fā)明還提供減少熔絲尖刺的修調結構的制造方法，利用金屬的電遷移特性，使修調刻開區(qū)可以改善電遷移和溫度引起的熔絲尖刺異?，F(xiàn)象，并由此減少后道工藝水汽、聚合物殘留，解決由此熔絲尖刺導致的封裝失效，機械應力問題，減少成品測試和使用中芯片功能失效和封裝等可靠性風險。

聲明：

“減少熔絲尖刺的修調結構及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)