本發(fā)明公開的含未鈍化金屬層結(jié)構(gòu)的塑封器件的開封方法，首先利用發(fā)煙硝酸在80℃-90℃的環(huán)境下蝕刻塑封器件5-10秒，并在30秒內(nèi)開始進行清洗過程，利用丙酮和去離子水將蝕刻后的器件清洗干凈并風干；然后在70℃-80℃的環(huán)境下利用由發(fā)煙硝酸和98％濃硫酸按2∶1體積比混合組成的蝕刻酸一蝕刻塑封器件10-20秒，蝕刻后應立即利用丙酮、異丙醇和去離子水將器件清洗干凈，最后在空氣中風干。采用精確控制開封工藝參數(shù)，兩次蝕刻過程的方法對
芯片表面采用鎳銅、鎳鎢等未受鈍化層保護的結(jié)構(gòu)生產(chǎn)的塑封半導體集成電路進行開封，開封后可完整的保留器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)，保證器件在開封后還能保持電性能，完全滿足破壞性物理分析與失效分析等后續(xù)檢驗對器件完好性的要求。
聲明：
“含未鈍化金屬層結(jié)構(gòu)的塑封器件的開封方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月21日 ~ 23日 
