本發(fā)明提供一種閃存的測(cè)試方法，所述閃存分為若干區(qū)塊，所述區(qū)塊中包括若干存儲(chǔ)單元，所述測(cè)試方法包括以下步驟：設(shè)定存儲(chǔ)單元柵電壓的工作優(yōu)化范圍；讀取所述區(qū)塊中存儲(chǔ)單元的柵電壓，判斷所述區(qū)塊中存儲(chǔ)單元柵電壓是否均位于所述工作優(yōu)化范圍內(nèi)，是則標(biāo)記為正常區(qū)塊，否則標(biāo)記為薄弱區(qū)塊。對(duì)所述薄弱區(qū)塊進(jìn)一步測(cè)試，以進(jìn)一步區(qū)分正常區(qū)塊和失效區(qū)塊；生成測(cè)試結(jié)果。本發(fā)明所述閃存的測(cè)試方法是利用存儲(chǔ)單元柵電壓的工作優(yōu)化范圍初步讀取閃存中存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)找出薄弱存儲(chǔ)區(qū)塊，僅對(duì)薄弱存儲(chǔ)區(qū)塊進(jìn)行進(jìn)一步測(cè)試，生成測(cè)試結(jié)果。相比現(xiàn)有技術(shù)對(duì)閃存中所有區(qū)塊的存儲(chǔ)單元進(jìn)行測(cè)試，本發(fā)明大大縮短了測(cè)試時(shí)間和測(cè)試成本。