本發(fā)明涉及一種MMC子模塊電容老化檢測方法,包括:1)采集子模塊的開關狀態(tài);2)在待測模塊和參考模塊狀態(tài)相同時,采集待測模塊和參考模塊電容初始電壓,并將待測模塊和參考模塊同時接入系統(tǒng);3)等待控制信號變化,采集待測模塊和參考模塊電容電壓波形;4)將采集的待測模塊和參考模塊電容電壓波形進行多層小波包分解,并計算小波包分解后高頻能量比值KR;5)采集待測模塊和參考模塊的電容電壓,并計算電容電壓變化比值KC;6)判斷KC≤0.95或KR≥2是否成立,是則判斷待測模塊電容老化失效,切除待測模塊,系統(tǒng)接入冗余模塊,否則判斷待測模塊電容未老化失效,排序模塊電壓,并進行下一模塊檢測。該方法有利于電容老化檢測的可靠性和便捷性。
聲明:
“MMC子模塊電容老化檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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