本發(fā)明提供一種缺陷檢測方法。首先提供一半導體檢測件,且該半導體檢測件中包括至少一缺陷,然后利用一失效分析(FA)技術,于該半導體檢測件的背面檢測出至少一可疑異常區(qū)域(suspected area),接著利用一物理能量,于該半導體檢測件背面的該可疑異常區(qū)域周圍形成多個參考標記,最后利用該些參考標記,于該半導體檢測件的正面標定出該缺陷的相對位置。
聲明:
“缺陷檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)