本發(fā)明涉及集成電路的電子顯微學表征技術(shù)領域,且公開了一種同步采集分析集成電路結(jié)構(gòu)和成分信息的高分辨方法,包括以下步驟:一、利用樣品減薄設備對集成電路進行切割減薄,制備成薄區(qū)厚度為50nm的薄片;二、將上述制成的薄片鑲嵌于透射電鏡載網(wǎng)上;三、使用高分辨透射電子顯微鏡的掃描透射電子成像(STEM)功能,對集成電路中的被選擇區(qū)域進行觀察。本方案利用樣品減薄設備將集成電路中的被選擇區(qū)域制備為適宜透射電子顯微鏡觀察的薄片樣品,將此樣品在高分辨透射電鏡下同步進行高分辨級別的STEM成像與EDS/EELS采集,分析和區(qū)分集成電路各功能區(qū)域及其之間的界面等區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)和成分分布信息,從而分析集成電路材料與器件構(gòu)效關(guān)系和失效原因。
聲明:
“同步采集分析集成電路結(jié)構(gòu)和成分信息的高分辨方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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