本發(fā)明提供了接觸孔失效評(píng)估方法,包括:提供評(píng)估晶圓,在所述評(píng)估晶圓上形成評(píng)估器件圖形,所述評(píng)估器件圖形包括第一器件區(qū)以及第二器件區(qū);其中,第二器件區(qū)與PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)以及尺寸相同;第一器件區(qū)與NMOS晶體管相比,區(qū)別在于對(duì)應(yīng)NMOS晶體管的P阱具有不同的摻雜類型,使得在進(jìn)行電子束掃描時(shí),第一器件區(qū)中N型摻雜的有源區(qū)的導(dǎo)電能力強(qiáng)于NMOS晶體管的源/漏極;在所述評(píng)估晶圓上進(jìn)行與產(chǎn)品晶圓相同的接觸孔形成工藝;采用電子束掃描評(píng)估晶圓的表面,并獲取晶圓表面各處的掃描亮度;本發(fā)明在電子束掃描接觸孔時(shí),形成較亮光斑,從而易于與周圍區(qū)域區(qū)分開,有效避免了機(jī)臺(tái)對(duì)失效接觸孔的漏檢或錯(cuò)檢。
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