本發(fā)明涉及一種SRAM型FPGA單粒子軟錯誤與電路失效率關(guān)系快速測定方法,步驟如下:(1)選定初始向配置區(qū)注入的翻轉(zhuǎn)位數(shù)N;(2)隨機選擇FPGA配置區(qū)N位進行故障注入,運行FPGA,記錄FPGA輸出是否出現(xiàn)錯誤;(3)重復第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根據(jù)實際條件,按照最終選定的N,進行盡量多次的故障注入,獲得較好的統(tǒng)計性,推薦注入以N位隨機翻轉(zhuǎn)的故障注入試驗次數(shù)不的小于30次;(5)最終得到注入N位隨機故障后電路失效率為λN,然后用1?(1?λN)M/N估計電路的失效率上限,得到電路設(shè)計的SEU數(shù)目M?電路失效率λM評估結(jié)果。采用本發(fā)明的方法通過次數(shù)很少的故障注入,即可對FPGA電路設(shè)計抗SEU性能作出有效評價,大大減少了實驗的次數(shù)和評估的周期。
聲明:
“SRAM型FPGA單粒子軟錯誤與電路失效率關(guān)系快速測定方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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