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芯片靜電放電測試失效后的調(diào)試方法及裝置

781   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:33
本發(fā)明提出了一種芯片ESD測試失效后的調(diào)試方法,該芯片為包含多組電源模塊的同種芯片,該方法包括:對第一芯片進(jìn)行ESD檢測,獲得失效管腳;在第二芯片上,把與所述失效管腳位置相應(yīng)的第二管腳接地,并對芯片中未測模塊進(jìn)行放電測試;每完成一組模塊的測試,根據(jù)預(yù)置規(guī)則判斷第二管腳是否失效;若失效,則當(dāng)前模塊為失效模塊,并在第三芯片上繼續(xù)下一模塊的測試,以及在另一芯片上對失效模塊進(jìn)行管腳測試;若未失效,則在當(dāng)前芯片上繼續(xù)下一模塊的測試。本發(fā)明在找到ESD失效管腳后,以模塊為單元分組排查,先確定失效模塊,再在失效模塊內(nèi)找到具體的管腳失效組合,由此大幅度的減少了調(diào)試所需樣品個數(shù),提高了調(diào)試速度,節(jié)省了調(diào)試費用。
聲明:
“芯片靜電放電測試失效后的調(diào)試方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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