本發(fā)明公開了一種可控硅失效檢測與保護方法,包括以下步驟:中央處理器檢測電源過零信號是否發(fā)生跳變;當可控硅的電壓在過零信號發(fā)生跳變后一直小于0.5V或者一直大于4.8V時,對可控硅做開路標記;當可控硅的電壓在過零信號發(fā)生跳變后一直處于2.5V至4.0V之間時,對可控硅做短路標記;中央處理器對可控硅運行可控硅保護程序。本發(fā)明還公開了一種可控硅失效檢測與保護裝置。本發(fā)明所提供的可控硅失效檢測與保護方法及其裝置,準確判斷出故障發(fā)生元件是否為可控硅,并通過顯示故障信息及自動切斷負載供電繼電器方式,以方便維修,提高產(chǎn)品安全性能及智能化程度。
聲明:
“可控硅失效檢測與保護方法及其裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)