本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體失效檢測(cè)結(jié)構(gòu)及其檢測(cè)方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體器件失效檢測(cè)過(guò)程，半導(dǎo)體失效檢測(cè)方法包括：在待檢測(cè)晶圓預(yù)設(shè)范圍內(nèi)設(shè)置參考層；獲取設(shè)置參考層對(duì)應(yīng)待檢測(cè)晶圓的晶圓圖像；將晶圓圖像與檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行對(duì)比，根據(jù)參考層得到待檢測(cè)晶圓中失效的位置信息及分析結(jié)果。本說(shuō)明書實(shí)施例設(shè)置類似金屬材料的參考層，該參考層為多個(gè)最小單元規(guī)則排布的參考?jí)K，尤其使參考?jí)K構(gòu)成的參考層呈米型狀或T型狀排布，優(yōu)化測(cè)試結(jié)構(gòu)周邊和上下層dummy結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，在不影響各種不同功能的測(cè)試結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，不僅有助于形成更加清晰高對(duì)比度的測(cè)試結(jié)構(gòu)圖形影像，而且大大提升失效分析定位的準(zhǔn)確性和物性失效分析的成功率和效率。