本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體失效分析的分析結(jié)構(gòu)和方法。所述結(jié)構(gòu)包括:多個(gè)分析場,設(shè)置于半導(dǎo)體器件的預(yù)定的區(qū)域上;半導(dǎo)體晶體管,設(shè)置于每個(gè)所述分析場中,所述半導(dǎo)體晶體管設(shè)置為陣列;字線,設(shè)置于所述多個(gè)分析場的每個(gè)上,在第一方向?qū)⑺霭雽?dǎo)體晶體管彼此連接;和位線結(jié)構(gòu),在所述多個(gè)分析場的每個(gè)上,在第二方向?qū)⑺霭雽?dǎo)體晶體管彼此連接,其中,所述位線結(jié)構(gòu)在所述多個(gè)分析場的每個(gè)中配置為不同的圖案。
聲明:
“半導(dǎo)體器件中失效分析的結(jié)構(gòu)和方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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