本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N
芯片失效分析方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。該方法在獲取第一狀態(tài)的熱熔蠟后,第一狀態(tài)為軟化狀態(tài),采用預(yù)設(shè)嵌入方式,將待研磨樣品嵌入第一狀態(tài)的熱熔蠟的一側(cè),并對(duì)第一狀態(tài)的熱熔蠟的另一側(cè)進(jìn)行塑型,得到第一狀態(tài)的研磨體;研磨體中待研磨樣品保持水平;基于第一狀態(tài)的研磨體,獲取第二狀態(tài)的研磨體,第二狀態(tài)為凝固狀態(tài);在固定第二狀態(tài)的研磨體上塑型的熱熔蠟后,對(duì)研磨體中的待研磨樣品進(jìn)行研磨,得到待分析芯片;對(duì)待分析芯片進(jìn)行失效分析,得到分析結(jié)果。該方法提高了研磨穩(wěn)定性和安全性,也提高了失效分析效率。
聲明:
“芯片失效分析方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)