本發(fā)明公開了一種各向異性導電膠膜互連電氣失效可視化分析
芯片制備方法,所述可視化分析芯片包括芯片和基板,所述芯片包括單晶硅基底和設置在單晶硅基底上的多個凸點尺寸的凸點,所述基板包括二氧化硅基底和設置在二氧化硅基底上的ITO導電線和焊盤,所述可視化分析芯片的制備過程包括以下步驟:芯片的制備、基板的制備、倒裝鍵合,即獲得各向異性導電膠膜互連電氣失效可視化分析芯片。本發(fā)明制備的可視化芯片具有凸點與對應的焊盤透明,能方便、有效地觀察鍵合后導電粒子的微觀形態(tài),分析互連電阻與導電粒子捕捉量之間的關系,還具有透光性好、耐高溫等優(yōu)點。
聲明:
“各向異性導電膠膜互連電氣失效可視化分析芯片制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)