本發(fā)明公開一種基于失效物理模型的多
芯片組件可靠性分析方法,通過將失效模式與多芯片組件的結(jié)構(gòu)材料等性能參數(shù)相關(guān)聯(lián),建立了一種從多芯片組件失效本質(zhì)出發(fā)的可靠性分析方法;提供一套多芯片組件失效物理分析的規(guī)范化流程,該方法實(shí)施時(shí)并不是依托可靠性壽命數(shù)據(jù),而是從多芯片組件的工藝參數(shù)信息、材料信息、加工制造、實(shí)際使用情況出發(fā)進(jìn)行分析,可有效避免壽命數(shù)據(jù)不足的難點(diǎn),減少成本;并且本申請方法從多芯片組件失效的本質(zhì)出發(fā),刻畫產(chǎn)品的失效,為優(yōu)化多芯片組件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料、制造工藝等提供可靠建議,可相對準(zhǔn)確地找出產(chǎn)品可靠性薄弱環(huán)節(jié),進(jìn)而得到了與實(shí)際情況更為符合的分析結(jié)果。
聲明:
“基于失效物理模型的多芯片組件可靠性分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)