本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種晶圓的失效分析方法,包括:在所述晶圓的切割通道中,確定出目標(biāo)測(cè)試區(qū)域,所述晶圓包括疊設(shè)的驅(qū)動(dòng)晶圓層和陣列晶圓層,所述陣列晶圓層包括位于所述驅(qū)動(dòng)晶圓層之上的堆疊層和位于所述堆疊層背離所述驅(qū)動(dòng)晶圓層一側(cè)的襯底,所述目標(biāo)測(cè)試區(qū)域包括貫穿所述陣列晶圓層的貫穿觸點(diǎn)以及形成于所述驅(qū)動(dòng)晶圓層內(nèi)且位于所述貫穿觸點(diǎn)下方的測(cè)試結(jié)構(gòu);對(duì)所述貫穿觸點(diǎn)的表面進(jìn)行保護(hù)處理,得到保護(hù)處理后的晶圓;對(duì)所述保護(hù)處理后的晶圓中位于所述陣列晶圓層中的所述襯底進(jìn)行刻蝕,得到刻蝕處理后的晶圓;對(duì)所述刻蝕處理后的晶圓進(jìn)行失效分析。
聲明:
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