本發(fā)明公開了一種摻雜失效的分析方法,包括步驟:提供良品硅片;對良品硅片和待測樣品硅片進(jìn)行處理直至露出襯底表面;將良品硅片和待測樣品硅片放置在底座上;在良品硅片和待測樣品硅片上選定測試圖形;設(shè)定進(jìn)行SRP的條件;分別對良品硅片和待測樣品硅片上的測試圖形進(jìn)行SRP并得到電阻率或載流子濃度的數(shù)據(jù);對良品硅片和所述待測樣品硅片的電阻率或載流子濃度的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,判斷待測樣品硅片的摻雜是否失效,估算待測樣品硅片的摻雜劑量失效大小。本發(fā)明能準(zhǔn)確快速驗(yàn)證摻雜相關(guān)的失效,以及確認(rèn)摻雜雜質(zhì)的差異程度,能大大節(jié)省
芯片失效分析的時間和確保失效分析的準(zhǔn)確性,為明確工藝原因及提升相關(guān)產(chǎn)品的良率發(fā)揮重大作用。
聲明:
“摻雜失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)