本申請公開了一種
芯片的失效分析方法,該失效分析方法包括:定位芯片中產(chǎn)生漏電流的硅通孔結構;沿垂直芯片表面的方向研磨芯片至接近硅通孔結構,標記為與芯片的上表面垂直的橫截面;在橫截面上依次間隔設定標記點;在硅通孔結構和芯片中的襯底之間施加測試電壓,獲取硅通孔結構產(chǎn)生漏電流的位置,將其在橫截面上對應的位置標為熱點;將與熱點相鄰的兩個標記點記為第一標記點和第二標記點,通過熱點與第一標記點和第二標記點之間的深度關系定位漏電流的深度。該方法能夠準確地獲取芯片中漏電流的深度位置,進而有效地指導接下來的物理失效分析方法和工藝改進。同時,該方法所用的機臺均為已有的傳統(tǒng)機臺,不需額外增加機臺預算。
聲明:
“芯片的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)