本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電學(xué)失效分析方法，包括：獲取晶圓的各個(gè)失效晶粒的失效日志；根據(jù)失效晶粒的失效日志中高頻測(cè)試結(jié)果和低頻測(cè)試結(jié)果，確定各個(gè)高頻主導(dǎo)失效晶粒和各個(gè)低頻主導(dǎo)失效晶粒；獲取當(dāng)前高頻主導(dǎo)失效權(quán)重值；根據(jù)各個(gè)高頻主導(dǎo)失效晶粒的各個(gè)結(jié)構(gòu)層的高頻失效尺寸、各個(gè)低頻主導(dǎo)失效晶粒的各個(gè)結(jié)構(gòu)層的低頻失效尺寸、當(dāng)前高頻主導(dǎo)失效權(quán)重值和晶圓的各個(gè)結(jié)構(gòu)層的設(shè)計(jì)尺寸，獲取各個(gè)結(jié)構(gòu)層的失效偏差值，根據(jù)失效偏差值和預(yù)定偏差閾值，調(diào)整當(dāng)前高頻主導(dǎo)失效權(quán)重值，直至至少一個(gè)結(jié)構(gòu)層的失效偏差值滿足預(yù)定偏差閾值，獲取與最大的失效偏差值相對(duì)應(yīng)的最大失效影響層。本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的電學(xué)失效分析方法，可以提高電學(xué)失效分析的準(zhǔn)確性。