本發(fā)明公開了一種摻雜失效的分析方法,包括步驟:提供一良品硅片;對良品硅片和待測樣品硅片進行處理直至露出襯底表面;將良品硅片和待測樣品硅片分別放置在一導電底座上并用錫焊固定;分別在良品硅片和待測樣品硅片上選定一測試圖形;進行測試條件設置;采用單針分別對良品硅片和待測樣品硅片上的測試圖形進行認證測試;對良品硅片和待測樣品硅片的測試數(shù)據(jù)進行比較并判斷待測樣品硅片的摻雜是否失效。本發(fā)明能準確快速驗證摻雜相關的失效,能大大減少測試圖形尺寸、實現(xiàn)小尺寸圖形的摻雜失效分析,能大大節(jié)省
芯片失效分析的時間和確保失效分析的準確性,為明確工藝原因及提升相關產(chǎn)品的良率發(fā)揮重大作用。
聲明:
“摻雜失效的分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)