本發(fā)明公開了一種連接探針、其制備方法及在微電極陣列連接中的用途。屬于微電極陣列技術領域。本發(fā)明的連接探針包括基底以及位于所述基底上且間隔設置的陣列單元,所述陣列單元包括由下到上的金屬種子層和金屬鍍層。本發(fā)明利用傳統(tǒng)的MEMS工藝,創(chuàng)新設計,解決了高密度微電極陣列難以進行電學測試和可靠性測試,或在進行測試過程中會損傷微電極陣列的問題。利用MEMS加工制備精度高,微型化等特點,可制備用于高密度柔性微電極測試的探針,可達到無損測試效果,而且,本發(fā)明的連接探針使用可逆,測試完成后取下可重復使用。
聲明:
“連接探針、其制備方法及在微電極陣列連接中的用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)