本發(fā)明提供了一種測量半導體非平衡載流子壽命的新方法。是用光注入方法在半導體中激發(fā)自由載流子,移動反射譜反射邊的頻率位置,從而使另一束頻率在反射邊上的入射光在半導體表面的反射率大幅度地變化。利用這方法來測量半導體內非平衡載流子的壽命,不僅對制作樣品無嚴格要求,而且是無損傷、非接觸測量,可以研究各種能量狀態(tài)下的載流子壽命,更可以檢查樣品的均勻性。
聲明:
“測量半導體非平衡載流子壽命的新方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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