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基于表面等離子體波的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)方法

1115   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:58:16
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于表面等離子體波的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)方法,用于檢測(cè)半導(dǎo)體表面平整度或半導(dǎo)體薄膜內(nèi)部缺陷。本發(fā)明利用頻率小于半導(dǎo)體等離子體頻率的電磁波入射向刀片刃口與待測(cè)半導(dǎo)體之間的狹縫,從而在半導(dǎo)體表面產(chǎn)生表面等離子體波。該表面等離子體波可以從另一刀片刃口與待測(cè)半導(dǎo)體之間的狹縫位置處耦合為空間輻射電磁波,從而被探測(cè)器接收。通過(guò)改變刀片與半導(dǎo)體在水平方向的相對(duì)位置,當(dāng)待測(cè)半導(dǎo)體表面或內(nèi)部存在的缺陷的位置有表面等離子體波經(jīng)過(guò)時(shí),出射電磁波信號(hào)會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)變化,從而可根據(jù)此原理對(duì)半導(dǎo)體表面不平整或半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)。相比現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明方法具有適用范圍廣、使用靈活、檢測(cè)精度高、檢測(cè)樣品無(wú)損傷等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“基于表面等離子體波的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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