本發(fā)明公開了一種基于多對(duì)電極電容成像檢測(cè)技術(shù)判別非導(dǎo)體缺陷深度的方法,涉及無(wú)損檢測(cè)信號(hào)處理領(lǐng)域,包括:接收輸入的多對(duì)電極電容成像檢測(cè)信號(hào),其中所述檢測(cè)信號(hào)包含缺陷檢測(cè)信號(hào)Y
n和無(wú)缺陷檢測(cè)信號(hào)YS
n;求缺陷信號(hào)變化值△Y
n=Y(jié)
n?YS
n,并同時(shí)判斷缺陷信號(hào)變化值△Y
n是否大于等于預(yù)設(shè)閥值P
n;如果否,則判斷缺陷不存在;如果是,則判斷缺陷存在;對(duì)缺陷信號(hào)Y
n對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)X
n進(jìn)行坐標(biāo)變換,變換后的橫坐標(biāo)HX
n=X
n?d
n/2;對(duì)缺陷信號(hào)Y
n進(jìn)行變換,變換后的縱坐標(biāo)HY
n=Y(jié)
n./YS
n;并根據(jù)橫坐標(biāo)HX
n與縱坐標(biāo)HY
n繪制曲線圖;當(dāng)缺陷所對(duì)應(yīng)曲線圖的波谷個(gè)數(shù)為1時(shí),確定最大電極對(duì)編號(hào)C
a;當(dāng)同一缺陷所對(duì)應(yīng)曲線圖的波谷個(gè)數(shù)為2時(shí),確定最小電極對(duì)編號(hào)C
b;則判定此缺陷的深度位于電極對(duì)C
a與C
b的有效檢測(cè)深度之間。
聲明:
“基于多對(duì)電極電容成像檢測(cè)技術(shù)判別非導(dǎo)體缺陷深度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)