本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種快速無損測量
石墨烯薄膜厚度與能隙的方法。本發(fā)明首先利用橢圓偏振技術(shù)得到薄膜的橢偏數(shù)據(jù);然后根據(jù)所測薄膜的結(jié)構(gòu)建立合適的理論模型,對得到的橢偏數(shù)據(jù)進行分析和擬合,得到所測石墨烯薄膜的厚度與能帶結(jié)構(gòu)。本發(fā)明大大簡化了以往超薄薄膜厚度測試的復(fù)雜性、降低了利用其它技術(shù)工藝實施的困難程度,在22納米后大規(guī)模集成電路制造中具有重要應(yīng)用價值。
聲明:
“快速無損測量石墨烯薄膜厚度與能帶結(jié)構(gòu)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)