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用于射頻橫向擴散場效應晶體管的自對準硅化物方法

982   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:57
一種用于射頻橫向擴散場效應晶體管的自對準硅化物方法,包括如下步驟:在硅片上,多晶柵刻蝕成形后進行無掩膜的漂移區(qū)注入;用正硅酸乙酯熱分解法淀積一薄層二氧化硅;以光刻膠保護漂移區(qū),回刻二氧化硅,在柵極靠近源測形成二氧化硅側(cè)墻;源漏自對準注入并去膠;快速熱退火,以消除注入損傷和激活雜質(zhì);分別以正硅酸乙酯熱分解法淀積一薄層襯墊二氧化硅和低壓化學氣相淀積法淀積一層氮化硅;依次回刻氮化硅、二氧化硅,在二氧化硅一次側(cè)墻基礎上形成氮化硅二次側(cè)墻;濺射一薄層鈦;快速熱退火,讓鈦與硅反應形成鈦硅化物;選擇性濕法腐蝕去除未反應的鈦;快速熱退火,讓高阻態(tài)的鈦硅化物轉(zhuǎn)化為低阻態(tài)的鈦硅化物。
聲明:
“用于射頻橫向擴散場效應晶體管的自對準硅化物方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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