本發(fā)明公開了一種WO3?x?WS2一維?二維異質結、制備方法及應用,制備方法包括以下步驟:步驟1:將偏鎢酸銨和硫粉放置在化學氣相沉積反應腔體的加熱區(qū);偏鎢酸銨和硫粉之間設置有爐塞;步驟2:將反應腔體填充保護氣氛;步驟3:在保護氣氛條件下,以10~30℃/min的速率升溫至400~700℃,然后以10℃/min的速率升溫至1100~1500℃,保溫20~40min,隨爐冷卻至室溫,設置在偏鎢酸銨一側的基底上得到所需異質結構;本發(fā)明通過制備工藝簡單的一步化學氣相沉積生長方法構建了WO3?x?WS2一維?二維異質結構,在單層WS2二維納米片上生長了高度約為7.1nm的WO3?x一維納米線;該異質結具有優(yōu)異的光電探測性能。
聲明:
“WO3-x-WS2一維-二維異質結、制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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