本發(fā)明公開了一種理想二維費米液體系統(tǒng)Bi
2O
2Se單晶，屬于電子材料領域。本發(fā)明所述的Bi
2O
2Se單晶的晶體結構為四方晶系，空間群為I4/mmm(139)。采用化學氣相輸運法(升華法)和凝固析晶法均可制備得到Bi
2O
2Se單晶。兩種方法生長的Bi
2O
2Se單晶均呈片狀，晶體的尺寸范圍為毫米級，純度高、化學成分均勻性好。在2K到300K的寬溫度范圍內，實驗測得的Bi
2O
2Se晶體的電阻率與溫度平方(T
2)呈正比關系，符合費米液體理論，Bi
2O
2Se單晶是一種理想二維費米液體系統(tǒng)。此外Bi
2O
2Se晶體的電子遷移率分別大于等于2.24×10
5cm
2V
?1s
?1(2K)和300cm
2V
?1s
?1(300K)，并且在空氣中具有良好的穩(wěn)定性，因此在未來電子器件領域具有良好的應用前景，同時其生長方法簡單，成本低廉，有利于工業(yè)化生產。
聲明：
“理想二維費米液體系統(tǒng)Bi2O2Se單晶及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網
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2025年03月21日 ~ 23日 
