一種負(fù)極
復(fù)合材料,包括Si?M?C復(fù)合材料,所述Si?M?C復(fù)合材料的表面存在導(dǎo)電層,其中M包括硼、氮或氧中的至少一種,固體核磁共振測試所述Si?M?C復(fù)合材料中硅元素的化學(xué)位移包括?5ppm±5ppm、?35ppm±5ppm、?75ppm±5ppm、?110ppm±5ppm,且?5ppm±5ppm處的半峰寬K滿足:7ppm<K<28ppm。本申請所提供的負(fù)極復(fù)合材料,具有較低的膨脹率和較高的導(dǎo)電性,本申請?zhí)峁┑呢?fù)極極片、
電化學(xué)裝置具有良好的循環(huán)性能。
聲明:
“負(fù)極復(fù)合材料及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)