本發(fā)明提供一種基于兩個系列的集成熱電偶(6和7)的使用的、性能改進的、微型化的硅熱流傳感器,所述集成熱電偶(6和7)位于一個加熱器(4)的兩側(cè),它們都集成在一多孔硅薄膜(2)上,該多孔硅薄膜(2)位于一個孔(3)的頂部。其下有孔(3)的多孔硅薄膜(2)為所述傳感器元件提供非常好的熱隔離,這使得將所述加熱器(4)保持在一個特定溫度所需的功率非常低。其下有一個孔(3)的多孔硅薄膜(2)的形成過程是一個兩步式單
電化學(xué)過程,它以這樣一個事實為基礎(chǔ),即陽極電流相對低時,我們處于多孔硅的形成狀態(tài),當(dāng)此電流超過某個值時,我們就轉(zhuǎn)到電拋光狀態(tài),所述過程以一低電流開始以形成多孔硅(2),然后它被轉(zhuǎn)到電拋光條件來形成位于其下的孔(3)。在此對采用所提出的方法的不同類型的熱傳感器裝置,如流傳感器,空氣傳感器,紅外檢測器,濕度傳感器和熱電功率發(fā)生器進行了描述。本發(fā)明還提供一種采用與形成多孔硅(17)和孔(16)相同的技術(shù)形成微射流通路(16)的方法。
聲明:
“以多孔硅封氣孔技術(shù)或微通路技術(shù)的使用為基礎(chǔ)的低功率硅熱傳感器和微射流裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)